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DMN67D8LW-13  与  SN7002W H6327  区别

型号 DMN67D8LW-13 SN7002W H6327
唯样编号 A-DMN67D8LW-13 A-SN7002W H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.3Ω
上升时间 - 2.8ns
Qg-栅极电荷 - 1nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 22 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±30V 20V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.82 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-323 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 240mA(Ta) 230mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
下降时间 - 8.5ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 320mW(Ta) 500mW(1/2W)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V -
典型关闭延迟时间 - 6ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - XN7002
驱动电压 5V,10V -
典型接通延迟时间 - 2.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 当前型号
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